FOR 476:  SiC als Halbleitermaterial: Alternative Wege in Züchtung und Dotierung

• Fachliche Zuordnung: Physik ; Informatik, System- und Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2002 bis 2008
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5469528

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen

Projekte

• Alternative processes in SiC-based MOS and bipolar technology (Antragsteller Pensl, Gerhard )
• Characterisation of structural defects in SiC by x-ray diffraction (Antragsteller Magerl, Andreas )
• Crystal growth of SiC using a modified physical vapor transport technique (M-PVT) (Antragsteller Wellmann, Peter )
• Deep-UV Raman spectroscopy investigation of SiC layers for electronic devices (Antragsteller Hundhausen, Martin )
• Defect and interfacial characterization of SiC wafers, structures and devices based on electron microscope techniques (Antragstellerin Christiansen, Silke )
• Doping and aggregation of vacancies / Graphite inclusions and overlayers (Antragsteller Pankratov, Oleg )
• Herstellung von polytypreinen defektarmen SiC-Volumenkristallen aus der flüssigen Phase (Antragsteller Hofmann, Dieter )
• In-situ x-ray measurements of defect generation and crystalline quality during PVT growth, cool down and post-growth annealing of SiC (Antragsteller Hock, Rainer )
• Untersuchung von p-dotierten Schichten zur Bauelementeisolation (Antragsteller Frey, Lothar )
• Zentralprojekt: Siliziumkarbid (SiC) als Halbleitermaterial - alternative Wege in Züchtung und Dotierung (Antragsteller Ley, Lothar )

• Sprecher: Professor Dr. Lothar Ley