Alternative processes in SiC-based MOS and bipolar technology

• Antragsteller: Dr. Gerhard Pensl
• Fachliche Zuordnung: Theoretische Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2002 bis 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5469528

Im vorliegenden Teilprojekt sollen die physikalischen Grundlagen und technologischen Prozesse für alternative Lösungen für die SiC-Sublimationszüchtung und Dotierung von SiC mit hohen Donatorkonzentrationen erarbeitet werden. Damit sollen die Voraussetzungen geschaffen werden, um SiC-Hochleistungsbauelemente mit großer Fläche - d.h. mit hohen Strömen - und niedrigen Verlusten durch den Bahnwiderstand sowie genügend großer Ausbeute über der gesamten Waferfläche herstellen zu können.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 476: SiC als Halbleitermaterial: Alternative Wege in Züchtung und Dotierung