Alternative ways in the SiC-sublimation growth and co-doping with donors

• Applicant: Dr. Gerhard Pensl
• Subject Area: Theoretical Condensed Matter Physics
• Term: from 2002 to 2010
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5469528

Im vorliegenden Teilprojekt sollen die physikalischen Grundlagen und technologischen Prozesse für alternative Lösungen für die SiC-Sublimationszüchtung und Dotierung von SiC mit hohen Donatorkonzentrationen erarbeitet werden. Damit sollen die Voraussetzungen geschaffen werden, um SiC-Hochleistungsbauelemente mit großer Fläche - d.h. mit hohen Strömen - und niedrigen Verlusten durch den Bahnwiderstand sowie genügend großer Ausbeute über der gesamten Waferfläche herstellen zu können.

• DFG Programme: Research Units
• Subproject of: FOR 476: Silicon Carbide as Semiconductor Material: Alternative Approaches towards Crystal Growth and Doping