SPP 1038:  Halbleiterbauelemente hoher Leistung

• Fachliche Zuordnung: Informatik, System- und Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5468160

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• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme

Projekte

• Ansteuerung und Charakterisierung von Halbleiterschaltern hoher Leistung unter Grenzbelastungen (Antragsteller Heumann, Klemens )
• Begrenzung des Spannungsanstiegs an Hochspannungs-IGBTs über optimierte Steuerprofile (Antragsteller Holtz, Joachim )
• Elektrothermomechanische Modellierung und numerische Simulation von Halbleiter-Hochleistungsbauelementen im Gehäuse und in Modulaufbauten (Antragsteller Wachutka, Gerhard K.M. )
• Elektrothermomechanische Modellierung und numerische Simulation von Halbleiter-Hochleistungsbauelementen im Gehäuse und in Modulaufbauten (Antragsteller Hoppe, Ronald H.W. )
• Entwicklung eines abschaltbaren Hochleistungshalbleiterbauelementes mit BIMOS Struktur mittels Silizium-Silizium-Bonding-Technologie (Antragsteller De Doncker, Rik W. )
• Entwicklung, Implementierung und Verifizierung von Rekombinationsmodellen für Silizium-Halbleiterbauelemente mittlerer und hoher Leistung (Antragstellerin Schipanski, Dagmar )
• Entwicklung von innovativen Kontaktierungsmethoden für Leistungsbauelemente sowie Erstellung eines Simulationswerkzeugs für statische und dynamische Berechnungen der Stromverteilung in Halbleiterbauelementen hoher Leistung (Antragsteller Vogt, Holger )
• Erweiterte physikalische Modellbildung für Leistungshalbleiter und Schaltungsentwicklung (Antragsteller Schröder, Dierk )
• Experimentelle Demonstration eines bipolaren Hochspannungsschalters mit beidseitig gesteuerten Emitterstrukturen (Antragsteller Stoisiek, Michael )
• Hart- und weichschaltende Hochleistungspulswechselrichter mit Spannungszwischenkreis (Antragsteller De Doncker, Rik W. )
• Herstellung von schnellen Dioden mit Teilstrukturen für die Durchlaßeigenschaften und für die Spannungsbegrenzung beim Abkommutieren (Antragsteller Sittig, Roland )
• IGBT-Pulsumrichter mit Gleichstromzwischenkreis für hohe dynamische Anforderungen (Antragsteller Riefenstahl, Ulrich )
• Interface Entwicklung für Hochleistungshalbleiter auf Basis eines Aluminiumnitrid-Gradientenwerkstoffs (Antragsteller Peier, Dirk )
• Interface Entwicklung für Hochleistungshalbleiter auf Basis eines Aluminiumnitrid-Gradientenwerkstoffs (Antragstellerin Willert-Porada, Monika )
• Mehrstufenwechselrichter mit Stromzwischenkreis (Antragsteller Braun, Michael )
• Modellierung des Trägertransports in Inversionsschichten für MOS-Bauelemente hoher Leistung (Antragsteller Meinerzhagen, Bernd )
• Modellierung und Simulation der Diffusion von Aluminium in Silicium (Antragsteller Ryssel, Heiner )
• Modellierung und Simulation von MTO- und GTO- Thyristoren zum Einsatz im Hochspannungsbereich (Antragsteller De Doncker, Rik W. )
• Modellierung und Simulation von MTO- und GTO- Thyristoren zum Einsatz im Hochspannungsbereich (Antragsteller Steimel, Andreas )
• Numerische Simulation zum statischen und dynamischen Verhalten des Monolithischen Bidirektionalen Schalters, MBS (Antragsteller Sittig, Roland )
• Online-Bestimmung der Sperrschichttemperatur von Leistungshalbleiterbauelementen im Umrichterbetrieb (Antragsteller Reimann, Tobias )
• Optimierung von Treiberstufen für weichschaltende Hochleistungsumrichter zur transformatorlosen Ankopplung an Mittelspannungsnetze (Antragsteller De Doncker, Rik W. )
• Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Strom- und Wärmetransport bei hoher Trägerinjektion und hohen Temperaturen (Antragsteller Wachutka, Gerhard K.M. )
• Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Strom- und Wärmetransport bei hoher Trägerinjektion und hohen Temperaturen (Antragsteller Gajewski, Herbert )
• Planarer Randabschluß für Halbleiter-Leistungsbauelemente durch Variation der lateralen Dotierung (Antragsteller Sittig, Roland )
• Randabschluß und Sperreigenschaften des MOS-gesteuerten, bidirektionalen Schalters, MBS (Antragsteller Sittig, Roland )
• Randabschluß und Sperreigenschaften des MOS-gesteuerten, bidirektionalen Schalters, MBS (Antragsteller Heuberger, Anton )
• Reihenschaltung von IGCTs für Hochspannungsstromrichter (Antragsteller Kennel, Ralph )
• Rekombinations- und Transportmechanismen in Bufferschichten sowie Beweglichkeiten in Ladungsträgerplasmen (Antragsteller Silber, Dieter Hans )
• Schaltverhalten und Beanspruchungen bidirektionaler IGBT-Konfigurationen im Matrixumrichter (Antragsteller Hofmann, Wilfried )
• Silizium-Hochratenätzen zur Herstellung tiefer Trenches für Super-Junction-Strukturen in der Hochvolt-PowerMOS Anwendung (Antragsteller Heuberger, Anton )
• Simulation und Modellbildung für bidirektionale Insulated Gate Bipolar-Transistoren / Dioden mit synchroner Anodensteuerung (Antragsteller Silber, Dieter Hans )
• Stromrichter für höchste Spannungen (Antragsteller Holtz, Joachim )
• Stromzwischenkreisumrichtersystem mit Isolated Gate Bipolar Transistoren hoher Leistung (Antragsteller Braun, Michael )
• Studie zur Funktion und technologischen Realisierbarkeit von dielektrischen Ladungsfallen bei Leistungsbauelementen (Antragsteller Silber, Dieter Hans )
• Systematische Untersuchung der elektrischen Festigkeit von AlN-Substrat und zugehöriger Werkstoff-Interfaces für Hochleistungs-Halbleiter (Antragsteller Peier, Dirk )
• Technologische Umsetzung eines Konzepts zur Herstellung MOS-gesteuerter bidirektionaler Schalter (MBS) (Antragsteller Kurz, Heinrich )
• Teilentladungsuntersuchung zur hochspannungstauglichen Kontaktierung von Hochleistungsbauelementen (Antragsteller Peier, Dirk )
• Theoretische und experimentelle Untersuchungen zum Überspannungsschutz von Zweirichtungsventilen auf der Basis von Hochvolt-IGBTs (Antragsteller Reimann, Tobias )
• Umrichter für das Widerstandsschweißen (Antragsteller Mecke, Hubert )
• Umrichter hoher Leistung und hoher Frequenz für induktive Erwärmung (Antragsteller Mutschler, Peter )
• Untersuchung von Schwingungsphänomenen in Modulen mit parallel geschalteten IGBT-Chips (Antragsteller Netzel, Mario )
• Vergleichende Untersuchung resonant schaltender Mittelspannungs-IGBT-Umrichter bezüglich ihrer Eignung für Leistungen oberhalb 100kVA (Antragsteller Mutschler, Peter )

• Sprecher: Professor Dr. Roland Sittig