Stromzwischenkreisumrichtersystem mit Isolated Gate Bipolar Transistoren hoher Leistung

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Michael Braun
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5377469

Stromzwischenkreisumrichter mit abschaltbaren Elementen werden heute nur in Einzelfällen als GTO-Stromrichter industriell eingesetzt. Mit der Verfügbarkeit großer IGBT-Transistoren kann der Filteraufwand auch im Megawattbereich deutlich reduziert werden, wenn die Resonanz durch geeignete Modulation und Regeung sicher verhindert wird. Im vorliegenden Antrag soll daher untersucht werden, welche maximale Leistung mit einem System aus netz- und maschinenseitigen Stromzwischenkreisumrichtern erreicht werden kann und welcher Bauaufwand dafür erforderlich ist. Darüber hinaus soll das Einsparpotential durch rückwärtsperrfähige IGBT-Transistoren ermittelt werden. Das Ergebnis der Arbeiten soll die Frage beantworten, ob die industrielle Entwicklung rückwärtssperrender IGBT-Transistoren angezeigt ist, um die Vorteile des Stromzwischenkreisumrichters, insbesondere sinusförmigen Netz- und Laststrom, im Bereich hoher Leistungen nutzen zu können.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1038: Halbleiterbauelemente hoher Leistung