FOR 395:  Ausgewählte Materialien und Bauelemente für die Siliziumhöchstintegration

• Fachliche Zuordnung: Informatik, System- und Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2007
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5467170

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen

Projekte

• Charakterisierung von inneren Grenzflächen im Hinblick auf ultra-flache Kontakte und vergrabene Heterostrukturen (Antragsteller Dollinger, Günther )
• Der Tunneltransistor in matrixförmigen Schaltungen und Sensoren (Antragstellerin Schmitt-Landsiedel, Doris )
• Elektronische Eigenschaften und Diffusionsverhalten oberflächennaher Dotierschichten (Antragsteller Koch, Frederick )
• Esaki-Tunneltransistor (Antragsteller Hansch, Walter )
• Materialsysteme für Metallisierung und Barrieren (Antragsteller Veprek, Stan )
• Niederohmige, elektromigrationsfeste Silberstrukturen für die Mikroelektronik (Antragstellerin Schmitt-Landsiedel, Doris )
• Rationales Design von neuen Materialien für die Mikroelektronik (Antragsteller Lercher, Johannes A. )
• Vertikale MOS-Bauelemente mit Delta-Dotierprofilen (Antragsteller Eisele, Ignaz )
• Zentrale Dienste (Antragstellerin Schmitt-Landsiedel, Doris )

• Sprecherin: Professorin Dr. Doris Schmitt-Landsiedel