Zweidimensionale physikalische Simulation von InP-basierten Single-(S-) und Double-(D-) Heterostruktur-Bipolartransistoren

• Antragsteller: Dr.-Ing. Ralf Bertenburg
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2001 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5296862

Im Rahmen dieses Forschungsvorhabens sollen Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBT) auf Indiumphosphid (InP) mit Hilfe eines physikalischen zweidimensionalen Bauelementsimulationsprogramms untersucht werden. Hierbei sollen alle relevanten Technologieeffekte wie beispielsweise die Verarmung freier Oberflächen, ätzprozessbedingte Verengung von Stromkanälen sowie Temperatureffekte berücksichtigt werden. Ziel des Projektes ist es, systematisch Bauelementstrukturen zu finden, die sowohl in bezug auf das laterale als auch bzgl. des Schichtdesigns optimiert sind. Die gewonnenen Erkenntnisse sollen als allgemeingültige Entwurfsgrundlage (Design-Rules) zur Herstellung von höchstfrequenztauglichen HBTs dienen. Ausgeführt werden alle simulationstechnischen Untersuchungen mit Hilfe eines kommerziell erhältlichen Software-Paketes, bei dem die für III-V-Halbleiter relevanten physikalischen Modellparameter erarbeitet werden müssen, so daß die erzielten Simulationsergebnisse mit Meßergebnissen von realen Bauelementen übereinstimmen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Franz-Josef Tegude