Ionenstrahlätzanlage

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2012
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 214953862

• Erstellungsjahr: 2016

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Die Ionenätzanlage wird verwendet um definierte Strukturen für unterschiedliche Messungen zu produzieren. Hierzu wird in der Regel zuerst ein optisch reaktiver Fotolack auf die zu strukturierende Oberfläche aufgebracht. Der Lack kann mittels UV Belichtung strukturiert und ausgehärtet werden und schützt somit Bereiche der Probe die nicht geätzt werden sollen. Die Probe wird anschließenden in den Ionenstrahlätzer geladen in welchem dann die nicht geschützten Bereiche der Probe weggeätzt werden. Dies erlaubt eine flexible Strukturierung mehrerer cm² großer Probenoberflächen mit Strukturgrößen vom mm bis hin zu wenigen nm. Somit hergestellte Strukturen waren zwingend erforderlich um: deterministisch die Auswirkungen von Spin-Strom induzierter Domainwandbewegung zu untersuchen; den Nachweis für thermisch angeregte magnetischen Wellen erbringen zu können; die Supraleitung Konzentrationsabhängig in FeSe untersuchen zu können; mit Hilfe von nicht lokalen Spin-Ventilen Messungen der Spin-Diffusionslänge unterschiedlicher Materialien durchzuführen; den anomalen Hall Effekt von Heusler Verbindungen zu untersuchen; Kristallstress induzierte magnetoelatische Phasenübergänge zu untersuchen; Auswirkungen von nm Geometrien auf die magnetische Struktur abzubilden und zu untersuchen; Transportmessungen an neuartigen magnetischen Strukturen durchzuführen.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

• Magnetic states in low-pinning high-anisotropy material nanostructures suitable for dynamic imaging. Phys. Rev. B 87, 134422 (2013)
  F. Büttner, et al.
  
• Efficient spin transfer torque in La2/3Sr1/3MnO3 nanostructures. Appl. Phys. Lett. 104, 072410 (2014)
  M. Förster, et al.
  
• Investigation of the magnetic properties of insulating thin films using the longitudinal spin Seebeck effect. J. Appl. Phys. 115, 17, 17C731 (2014)
  A. Kehlberger, et al.
  
• Spin-orbit torque-driven magnetization switching and thermal effects studied in Ta/CoFeB/MgO nanowires. Appl. Phys. Lett. 105, 122404 (2014)
  R. Lo Conte, et al.
  
• Epitaxial Mn2Au thin films for antiferromagnetic spintronics. J. Phys. D: Appl. Phys. 48, 385001 (2015)
  M. Jourdan, et al.
  
• Length scale of the spin Seebeck effect. Phys. Rev. Lett. 115, 096602 (2015)
  A. Kehlberger, et al.
  
• Magnetic field control of the spin Seebeck effect. Phys. Rev. B 92, 174411 (2015)
  U. Ritzmann, et al.
  
• Role of B diffusion in the interfacial Dzyaloshinskii-Moriya interaction in Ta/Co20Fe60B20/MgO nanowires. Phys. Rev. B 91, 014433 (2015)
  R. Lo Conte, et al.
  
• Spin-orbit torques for current parallel and perpendicular to a domain wall. Appl. Phys. Lett. 107, 122405 (2015)
  T. Schulz et al.
  
• Thickness and power dependence of the spin-pumping effect in Y3Fe5O12/Pt heterostructures measured by the inverse spin Hall effect. Phys. Rev. B 91, 134407 (2015)
  M.B. Jungfleisch, et al.
  
• Superconducting energy gap features of FeSe investigated by tunneling spectroscopy on planar junctions. J. Supercond. Nov. Magn. Online (2016)
  E. Venzmer, et al.
  
• Thermal generation of spin current in epitaxial CoFe2O4 films. Appl. Phys. Lett. 108, 022403 (2016)
  E.J. Guo, et al.