Strukturierungslinie zur Erzeugung von vertikalen und planaren Mikrostrukturen in breitbandigen Halbleitermaterialien (ICP-Trockenätzanlage)

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2011
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 211368650

„Die Abteilung Halbleiterepitaxie ist auf das Wachstum, Untersuchung und Anwendung von epitaktisch gewachsenen Gruppe-III-Nitrid-Halbleitern ausgerichtet. Nitrid Halbleiter werden in unserem Bereich für die Entwicklung neuartiger Transistoren, optischer Bauelemente (LEDs) und von Sensoren ausgenutzt, die auch in verschiedenen Projekten und in Forschungsschwerpunkten der Universität Magdeburg eingebunden sind. Unsere Arbeiten basieren auf vieljährigen Erfahrungen zur Hetero-Epitaxie von Gruppe-III-Nitrid -Schichten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) insbesondere auf Si-Substraten. Für die Bauelemente und Sensorentwicklungen stehen eine vollständige Photolithographiestrecke und Anlagen zur Abscheidung von Isolator- und Metallschichten, sowie die notwendigen Charakterisierungstechniken zu Verfügung. Es fehlt allerdings bisher eine eigene Ätzein-richtung für die Mikrostrukturierung der epitaxierten Bauelementestrukturen. Hierfür soll als Strukturie-rungslinie eine oft für Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter genutzte reaktive ICP- lonenätzapparatur unter Ver-wendung von Chlorgasen verwendet werden. Die ICP-Ätzapparatur ist so konfiguriert, das u.a. auch ein materialsensitives Ätzen von dünnsten Schichten von Bragg-Spiegeln erreicht werden soll.“

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung
• Antragstellende Institution: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
• Leiter: Professor Dr. Armin Dadgar, seit 2/2016; Professor Dr. Alois Krost (†)