Strukturierungslinie zur Erzeugung von vertikalen und planaren Mikrostrukturen in breitbandigen Halbleitermaterialien (ICP-Trockenätzanlage)

• Subject Area: Condensed Matter Physics
• Term: Funded in 2011
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 211368650

„Die Abteilung Halbleiterepitaxie ist auf das Wachstum, Untersuchung und Anwendung von epitaktisch gewachsenen Gruppe-III-Nitrid-Halbleitern ausgerichtet. Nitrid Halbleiter werden in unserem Bereich für die Entwicklung neuartiger Transistoren, optischer Bauelemente (LEDs) und von Sensoren ausgenutzt, die auch in verschiedenen Projekten und in Forschungsschwerpunkten der Universität Magdeburg eingebunden sind. Unsere Arbeiten basieren auf vieljährigen Erfahrungen zur Hetero-Epitaxie von Gruppe-III-Nitrid -Schichten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) insbesondere auf Si-Substraten. Für die Bauelemente und Sensorentwicklungen stehen eine vollständige Photolithographiestrecke und Anlagen zur Abscheidung von Isolator- und Metallschichten, sowie die notwendigen Charakterisierungstechniken zu Verfügung. Es fehlt allerdings bisher eine eigene Ätzein-richtung für die Mikrostrukturierung der epitaxierten Bauelementestrukturen. Hierfür soll als Strukturie-rungslinie eine oft für Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter genutzte reaktive ICP- lonenätzapparatur unter Ver-wendung von Chlorgasen verwendet werden. Die ICP-Ätzapparatur ist so konfiguriert, das u.a. auch ein materialsensitives Ätzen von dünnsten Schichten von Bragg-Spiegeln erreicht werden soll.“

• DFG Programme: Major Research Instrumentation
• Instrumentation Group: 0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung
• Applicant Institution: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
• Leaders: Professor Dr. Armin Dadgar, since 2/2016; Professor Dr. Alois Krost (†)