Korngrenzendynamik im Magnetfeld

• Antragsteller: Professor Dr. Dmitri A. Molodov
• Fachliche Zuordnung: Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
• Förderung: Förderung von 2005 bis 2008
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5453671

• Erstellungsjahr: 2008

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Mit SiC können unipolare Halbleiter für hohe Spannungen hergestellt werden. Durch schnelles Schalten und Verringerung oder Beseitigung von Recovery-Strömen werden Schaltverluste im Vergleich mit iGBTs erheblich reduziert, - Es wurde ein rückspeiseiahiger Antriebsumrichter mit 6 SiC-JFET Modulen und Schaltfrequenz von 125 kHz entwickelt. - Es wurde ein Motorfilter für sinusförmige Ausgangsspannungen realisiert. Das Volumen von Filtern wird aufgrund der hohen Schaltfrequenz reduziert. - Ein Netzfilter ist nötig für die Einhaltung der EMV-Norm 61800-3. - Ungeschirmte Kabel können verwendet werden. Dabei wird die Norm 61800-3-C3 eingehalten. - Die Messergebnisse zeigen die Machbarkeit eines SiC-Stromrichters mit reduzierten Filtern unter Einhaltung der Normen.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

• "A Practical Analysis of SiC-JFETs for a Power Converter Application", in International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Power Quality (PCIM), Nürnberg, 2006.
  A. Orellana, B. Piepenbreier
  
• "Rückspeisefahiger SiC-Stromrichter mit kompakten Filtern", in Internationaler Kongress der Energietechnische Gesellschaft im VDE (ETG), Karlsruhe, 2007.
  A. Orellana, B. Piepenbreier