Wachstum neuartiger GaN Transistor- und MEMS-Materialstrukturen

• Antragsteller: Professor Dr. Armin Dadgar
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2005 bis 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5452870

Im Rahmen dieses Projekts sollen das MOVPE Wachstum und die Materialcharakterisierung von Bauelementstrukturen für mehrere neue Konzepte von GaN-basierten Transistor- und MEMS-Bauelementen durchgeführt werden. Die Bauelementprozessierung und -charakterisierung wird an der Universität Ulm durchgeführt. Ziel dieses Projekts ist das MOVPE Wachstum von Hochleistungs GaN/A1InN n-Kanal HFETs sowie von, auf AlInN basierenden, p-Kanal HFETs und von Strukturen für die GaN Mikrosystemtechnologie auf Silizium. Für HFET Anwendungen sollen die Proben vorzugsweise auf hochohmigen Silizium Substraten gewachsen werden, wobei noch weitere Entwicklungen nötig sind tun das Isolationsverhalten der Pufferschichten zu verbessern. Für MEMS Anwendungen ist der Verspannungszustand und die Verspannungsverteilung innerhalb der Schichten besser zu kontrollieren, um völlig plane, geätzte Cantilever und Membrane zu realisieren. Das Projekt wird in zwei Teile, Materialwachstum und Materialcharakterisierung (strukturell und elektrisch) an der Otto-von- Guericke-Universität Magdeburg und Bauelementesimulation und -realisierung in der Gruppe von Prof. Kohn an der Universität Ulm, aufgeteilt. Als weiteren Teil dieses Projekts wird die Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg der Gruppe von Prof. Pavlidis an der TU-Darmstadt GaN-basierte Strukturen auf Silizium und Saphir für deren Entwicklungen im Rahmen ihres Antrags bereitstellen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Alois Krost (†)