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Theoretical an experimental investigation of noise in advanced SiGe BiCMOS process technologies

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 2005 bis 2009
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5445768
 
Keine Zusammenfassung vorhanden
DFG-Verfahren Sachbeihilfen
 
 

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