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Rationales Design von neuen Materialien für die Mikroelektronik

Subject Area Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Term from 2004 to 2007
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5467170
 
Aufgrund der bisherigen positiven Ergebnisse wollen wir in dem beantragten Forschungsvorhaben die Herstellung neuer Materialien für low-k und high-k Anwendungen sowie die Silberabscheidung weiter entwickeln. Auf dem Thema der low-k-Materialien soll die physikalische Chemie in und an Silsequioxan-Filmen untersucht werden. Als neue Ansätze verfolgen wir folgende Schwerpunkte: - Modulation der dielektrischen Eigenschaften - Verständnis der dynamischen Veränderungen bei der Herstellung von Composit-Filmen - Einfluß der chemischen Funktionalität bei der Degradation von Polymerfilmen - Nukleation und Oberflächenmodifikation von Nanopartikeln Insbesondere werden Composit-Materialien mit niedriger oder nach Bedarf einstellbarer Dielektrizitätskonstante gezielt synthetisiert und in Hinblick auf ihre physikalisch-chemischen Eigenschaften charakterisiert. Weiterhin werden Synthesewege zu neuen organometallischen Precursoren mit einstellbarem Aggregatszustand für die Herstellung von high-k-Materialien und die Silberabscheidung entwickelt. Die Zusammenarbeit mit den Verbundpartnern im Forschungsschwerpunkt soll es ermöglichen, physikalische Meßmethoden für die Charakterisierung von high- und low-k Materialien gemeinsam zu nutzen und weiter zu entwickeln sowie die Materialien und Precursoren unter den Prozessbedingungen der Elektrotechnik zu testen.
DFG Programme Research Units
 
 

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