Elektronische Eigenschaften zweidimensionaler Inversions- und Akkumulationsschichten an der Grenzfläche Isolator/organischer Einkristall

• Antragsteller: Dr. Bruno Gompf
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2003 bis 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5401466

Organische Halbleiter eröffnen wegen ihrer kleineren Dielektrizitätskonstanten und ihrer viel höheren effektiven Masse einen Parameterbereich, der für die Physik stark wechselwirkender Elektronensysteme sehr interessant ist. In dünnen Schichten dominieren aber immer extrinsische Einflüsse, wie Korngrenzen, Verunreinigungen oder Ladungsfallen, die elektronischen Eigenschaften. Um die intrinsischen Eigenschaften dieser Materialien besser zu verstehen sind deshalb Untersuchungen an Einkristallen wichtig. Mithilfe des Feldeffekts kann die Ladungsträgerkonzentration in hochreinen Molekülkristallen in weiten Bereichen variiert werden. Die Ladungsträger sind dann in einem schmalen Oberflächenbereich konzentriert. Die elektronischen Eigenschaften zweidimensionaler Elektronengase an der Halbleiter/Isolator-Grenzfläche sind für klassische Halbleiter sehr intensiv untersucht worden. Neben Transportmessungen wurden dabei auch optische Methoden wie Spektroskopie im Mikrowellen- bis Ferninfrarot-Bereich eingesetzt. An organischen Einkristallen gibt es vergleichbare systematische Untersuchungen bis heute nicht. Ziel dieses Vorhabens ist es, die elektronischen Eigenschaften zweidimensionaler Inversions- und Akkumulationsschichten an der Grenzfläche Isolator/organischer Halbleiter mit Transportmessungen, Hochfrequenzmethoden und optischer Spektroskopie im Millimeter- bis Ferninfrarot-Bereich zu charakterisieren und so zum besseren Verständnis der intrinsischen Eigenschaften beizutragen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Martin Dressel