Epitaktisch gewachsene AlGaInAsSb-Schichtenfolgen für Halbleiterlaser im mittleren Infrarot

• Antragsteller: Professor Dr. Henning Fouckhardt
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5393839

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen