Herstellung und Untersuchung epitaktischer Metall-Isolator Resonant-Tunneling-Bauelemente für die Silizium-Nanoelektronik

• Antragsteller: Professor Dr. Karl R. Hofmann
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5391895

Resonant-Tunneling (RT)-Bauelemente, die auf Metall-IsolatorSilizium-Schichtsystemen basieren, gehören aufgrund ihrer elektrischen Eigenschaften und ihrer potentiellen Kompatibilität zur konventionellen Siliziumtechnologie zu den aussichtsreichsten Grundbausteinen einer zukünftigen Nanoelektronik. Ziel des Forschungsvorhabens ist die Realisierung und theoretische Beschreibung solcher RT-Bauelemente. In der ersten Projektperiode wurden wesentliche Fortschritte bei der theoretischen Modellierung von RT-Dioden, dem Wachstum und der elektrischen Charakterisierung von CaF2-Schichten, sowie ihrer Modifizierung für die Herstellung von CoSi2/CaF2-Vielfachschichten erzielt. Die weiteren Ziele sind: (1) Die Entwicklung und Implementierung eines geeigneten MBE-Wachstumsverfahrens zur Herstellung der erforderlichen CoSi2/CaF2-Mehrfachschichten. (2) Die Herstellung, Charakterisierung und Optimierung von RT-Dioden und -Transistoren in diesem Materialsystem und ihre Bewertung als Schaltelemente für die Nanoelektronik. (3) Die theoretische und experimentelle Analyse alternativer Materialsysteme.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Personen: Professor Dr. Peter Vogl; Professor Dr. Joachim Wollschläger