Herstellung von polytypreinen defektarmen SiC-Volumenkristallen aus der flüssigen Phase

• Applicant: Dr.-Ing. Dieter Hofmann
• Subject Area: Theoretical Condensed Matter Physics
• Term: from 2002 to 2006
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5469528

Im Rahmen des geplanten Vorhabens sollen Untersuchungen zur Herstellung von defektarmen einkristallinen SiC-Schichten und Volumenkristallen mit definiertem Polytyp aus der flüssigen Phase (Lösung) durchgeführt werden. Dabei werden erstmals die Prozeßbedingungen analysiert, die zu stabilem Kristallwachstum eines bestimmten SiC-Polytyps bei der Lösungszüchtung führen. Am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik steht eine einzigartige Apparatur für die Untersuchungen zur SiC-Kristallisation aus der flüssigen Phase zur Verfügung. Diese Anlage ermöglicht die Prozeßführung bei hohen Temperaturen und hohen Drücken und erschließt somit einen neuen Parameterraum für die Züchtung von SiC-Kristallen unterschiedlicher Kristallmodifikation (4H, 6H, 15R) und niedrigerer Defektdichte aus der Schmelzlösung.

• DFG Programme: Research Units
• Subproject of: FOR 476: Silicon Carbide as Semiconductor Material: Alternative Approaches towards Crystal Growth and Doping
• Participating Person: Professor Dr. Albrecht Winnacker