Herstellung von III-V Halbleiter Quantenpunkten mittels Ionenbeschuß

• Antragsteller: Professor Dr. Heinrich Kurz (†)
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5268952

Die kontrollierte Herstellung von Halbleiter-Quantenpunkten unterhalb 50 nm erfordert neue Technologien, die über die etablierten lithografischen Methoden hinaus gehen. Methoden, die auf Selbstorganisation beruhen, bieten einen neuen Zugang und gelten als erfolgreiche Kandidaten. Gegenstand der Untersuchungen ist eine neue selbstorganisierte Methode, die auf einer Oberflächeninstabilität unter Ionenbeschuß beruht und regelmäßige hexagonal angeordnete Quantenpunkte im Bereich von 10 bis 80 Nanometer auf Oberflächen von III-V Halbleitern erzeugt. Die dabei auftretenden Prozesse und das Zusammenspiel des krümmungsabhängigen Oberflächenabtrags durch Ionenbeschuß sowie der thermischen und ioneninduzierten Diffusion soll in den Grundlagen untersucht werden. Die Untersuchungen zum Bildungsmechanismus sollen den Weg für die Übertragung des Verfahrens auf weitere Materialien ebnen und die kontrollierte Herstellung von Quantenpunkten ermöglichen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen