Phasenbildung und Eigenschaften dünner Schichten aus dotiertem kubischen Bornitrid und ternären Bornitridlegierungen

• Antragsteller: Professor Dr. Carsten Ronning
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5214036

Die massenselektierte Ionenstrahldeposition (MSIBD) soll zur Untersuchung des Wachstums und der Eigenschaften ternärer kubischer Bornitridsysteme (c-BN:X) angewendet werden. Die MSIBD Methode erlaubt eine kontrollierte Dotierung der BN-Schichten bis hin zur Legierungsbildung. Der Einfluß isoelektronischer Fremdatome auf die Phasenbildung und die Schichteigenschaften soll an Ga-, In-, P- und As-dotierten c-BN Schichten und ternären GaxB1-xN, InxB1-xN, BN1-xAsx und BN1-xAsx Legierungen untersucht werden. Ziele sind die Minimierung innerer Spannungen bei dotierten c-BN Schichten und die Bestimmung der grundlegenden strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften der genannten ternären Legierungen. Es soll geklärt werden, ob durch eine Dotierung oder durch Nukleation auf geeigneten Pufferschichten (GaN, AlN, Li3N) die Bildung der unerwünschten hBN Zwischenschicht vermieden werden kann. c-BN Schichten sollen während des Wachstums mit möglicherweise elektrisch aktiven Fremdatomen wie Li, Na, Mg, Zn und S dotiert und deren elektrische Eigenschaften charakterisiert werden. Ternäre B-C-N Schichten und gezielt dotierte BN-Schichten sollen zu vergleichenden Messungen für andere Gruppen innerhalb der Forschungsinitiative hergestellt werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Hans Christian Hofsäss