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Projekt
Memristives In-Memory Computing: Strahlungsharte Speicher für Computer im All
Antragstellerinnen / Antragsteller
Professor Dr.-Ing. Dietmar Fey; Professorin Dr.-Ing. Amelie Hagelauer; Professor Dr.-Ing. Marc Reichenbach; Professor Dr.-Ing. Christian Wenger
Fachliche Zuordnung
Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung
Förderung von 2020 bis 2024
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 441921944
Mikroelektronische Schaltungen, die in Raumfahrtanwendungen eingesetzt werden, müssen widerstandsfähig gegen Strahlungseinflüsse sein. Das Konzept des Internet-of-Space (IoS) wird zukünftig den Internetzugang in ländlichen Regionen unterstützen. Um dieses Konzept zu realisieren, ist es entscheidend, strahlungsharte Elektronikchips in die Umlaufbahn zu bringen, wo sie zuverlässig arbeiten müssen. Memristive Bauelemente eignen sich für solche Aufgaben, da die elektrischen Schalteigenschaften auf Ionen statt auf Elektronen basieren. Neben ihren Schalteigenschaften in Bezug auf die Strahlungshärte sind RRAMs auch nichtflüchtige Speicher (NVM). Um die höchste Zuverlässigkeit der verwendeten CMOS-Elektronik im Weltraum oder in anderen mit terrestrischer Strahlung kontaminierten Umgebungen zu erreichen, ist es empfehlenswert, den Inhalt des gesamten Computersystems in einem sicheren Backup-Speicher zu speichern. Für diese Art von Backup-System sind RRAMs aufgrund ihrer Strahlungshärte und der Nichtflüchtigkeit der in den Speicherzellen gespeicherten Daten im Falle eines Stromausfalls hilfreich. Nichtflüchtige Speicherprozessoren, bestehend aus RRAMs, sind deshalb für IoS-Anwendungen attraktiv. In diesem Projekt wollen wir einen Schritt weiter gehen und einen Teil der Verarbeitungslast in den RRAM-Speicher im Sinne eines In-Memory-Computing-Konzepts verschieben. Die In-Memory-Operationen werden in den strahlungsharten Sense-Verstärkern eines RRAM-Arrays durch Signalauswertung und direkte Integration von memristiven RRAM-Zellen in einem Schritt durchgeführt. Um die Funktionalität der strahlungsharten Systemarchitektur zu überprüfen, setzen wir auf intensive Simulationsarbeit. In der Simulationsumgebung wird ein neues Modell für memristive Bauelemente zur Untersuchung der gesamten strahlungsharten Systemarchitektur unter Verwendung von In-Memory-Computing zur Fehlererkennung eingesetzt.Der Schwerpunkt dieses Projektantrages liegt auf der Erforschung neuer technologischer Ideen. Der strahlungsharte Speicher-Ansatz mit einem neuen nichtflüchtigen Speicherkonzept, dem so genannten RRAM, ist der Kern dieses Ansatzes. Um dieses Ziel erfolgreich zu erreichen, setzen wir auf diesen hochinnovativen Technologieansatz, der neuartige Internet-of-Space-Anwendungen ermöglicht.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
