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THz Schaltungen und Systeme in ultra-schnellen SiGe HBT Technologien

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 2019 bis 2024
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 419161860
 
Moderne Halbleiterbauelemente erreichen Schaltgeschwindigkeiten, die das Potenzial haben unsere moderne industrielle Welt grundlegend zu verändern. Bipolar-Transistor-Technologien sind dabei in Bereiche des elektromagnetischen Spektrums vorgedrungen, die bisher nie erreicht wurden. Das Projektziel von Dotseven2IC ist es diese schnellen SiGe HBT Technologien, im Grenzbereich zwischen mm-Wellen und THz Frequenzen, grundlegend zu verstehen und zu untersuchen. Dies wird durch ein kombiniertes Design von Schaltungen und Transistoren erreicht. Im Fokus stehen Design Trade-offs, die von der Herstellung der HBT-Transistoren, über hochintegrierte Sende-/Empfängerschaltkreise bei 300 GHz, bis hin zu THz-Komponenten reichen. Mit Dotseven2IC werden in Zukunft vollkommen neue integrierte HF Schaltungen denkbar, die in puncto Geschwindigkeit bisher weltweit unerreicht sind.
DFG-Verfahren Sachbeihilfen
Ehemaliger Antragsteller Dr. Bernd Heinemann, bis 5/2023
 
 

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