Effiziente, subharmonisch gekoppelte THz-Schaltkreise für mobile Anwendungen basierend auf Indiumphosphid-Heterobipolartransistoren ((2)-C11)

• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2019 bis 2020
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 287022738

Effiziente, kompakte und örtlich gesteuerte elektronische Quellen werden für Anwendungen in der mobilen THz-Sensorik und -Lokalisierung benötigt. Die Phasenkopplung von Gegentakt-Oszillatorschaltkreisen, die in Indiumphosphid (InP)-Hetero-Bipolartransistor (HBT)-Technologie realisiert werden, soll mittels subharmonischer Injektion erreicht werden. InP HBT Oszillatoren mit 500 GHz Ausgangsfrequenz werden an der UDE entworfen, vermessen und modelliert, die Herstellung erfolgt im Foundry-Service. Ausgangsleistung, Effizienz und Kopplungsbandbreite werden im Rahmen dieses Vorhabens untersucht.

• DFG-Verfahren: Transregios
• Teilprojekt zu: TRR 196: Mobile Material-Charakterisierung und -Ortung durch Elektromagnetische Abtastung
• Antragstellende Institution: Universität Duisburg-Essen
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Nils Weimann