Exziton- und Ladungsträgerdynamiken in Halbleiter-Nanostrukturen mit indirekter Bandlücke und Typ-I Bandanpassung

• Antragsteller: Professor Dmitri Yakovlev, Ph.D.
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2019 bis 2023
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 409810106

Eine neue Klasse von Halbleiter-Nanostrukturen (insbesondere Quantenpunkte und Quantentröge) mit einer Typ-I Bandanpassung und einer indirekten Bandlücke im Impulsraum wird untersucht werden. Die Nanostrukturen werden aus verschiedenen III-V Materialien hergestellt werden, wobei unterschiedliche optische und magneto-optische Techniken zur Bestimmung ihrer elektronischen Bandstruktur und der Mechanismen der Elektron- und Exziton-Energierelaxation, -Spinrelaxation und -Rekombination eingesetzt werden sollen. Besondere Aufmerksamkeit soll den Szenarien gewidmet werden, in denen das direkte Gamma-Tal der Leitungsbandelektronen durch den räumlichen Einschluss zu den Energien des indirekten X- oder L-Tals verschoben wird. Es ist zu erwarten, dass die daraus resultierenden Gamma-X und Gamma-L gemischten Elektronenzustände die Rekombinationsdynamiken der indirekten Exzitonen und Ladungsträger stark modifizieren werden. Theoretische Modelle zu den gemischten Elektronenzuständen, ihren Wellenfunktionen wie auch Matrixelementen der optischen Übergänge werden entwickelt werden. In diesem Zusammenhang werden auch Modelrechnungen der elektronischen Strukturen durchgeführt werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Internationaler Bezug: Russische Föderation
• Partnerorganisation: Russian Foundation for Basic Research
• Kooperationspartner: Professor Dr. Timur Shamirzaev