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Electric field effects at metal-semiconductor and semiconductor-water interfaces

Subject Area Theoretical Condensed Matter Physics
Term from 2007 to 2011
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 36841936
 
Elektrische Feldeffekte an Grenzflächen spielen ein technologisch sehr wichtige Rolle auf vielen Gebieten, von elektronischen Bauelementen bis zu elektrochemischen Prozessen, wie sie z.B. in Brennstoffzellen vorkommen. Trotzdem ist das mikroskopische Verständnis solcher Effekte begrenzt. In diesem Projekt soll daher die geometrischen und elektronische Struktur von Metall-Halbleiter- und Halbleiter-Wasser-Grenzflächen in der Gegenwart von elektrischen Feldern mit Hilfe eines auf der Dichtefunktionaltheorie basierenden Streuformalismus untersucht werden.Wir werden vor allem metallinduzierte Lückenzustände in der Bandlücke von Halbleitern an Metall-Halbleiter-Grenzflächen betrachten, die von großer Wichtigkeit für elektronische Bauelemente wie z.B. Gleichrichter sind. Obwohl diese Zustände intensiv untersucht worden sind, wird ihre genaue Rolle kontrovers diskutiert- Zusätzlich sollen elektrische Feldeffekte an der Halbleiter-Wasser-Grenzfläche studiert werden, die relevant für elektrokatalytische Prozesse sind, die in elektrochemischen Zellen vorkommen.
DFG Programme Research Grants
 
 

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