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Projekt
Flexible analoge und digitale Grundschaltungen in amorphen Metalloxiden
Antragsteller
Professor Dr. Marius Grundmann
Fachliche Zuordnung
Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung
Förderung von 2015 bis 2022
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 273039061
Ausgehend von den Schaltungselementen, die in der ersten Förderperiode entwickelt wurden, werden Schaltungen zur kabellosen Kommunikation im ISM Band bei z.B. 13.56 MHz realisiert werden. Zudem wird eine geeignete Technology zur Passivierung und Verkapselung entwickelt, die mechanisch robust ist und eine Langzeitfunktionalität der Schaltkreise ermöglicht. Die aktiven elektronischen Komponenten basieren auf bei Raumtemperatur gesputterten Zink-Zinnoxid Dünnfilmen. Als Feldeffekt-Transistortechnologie werden MESFET und JFET genutzt. Die kleinsten Strukturgrößen werden um etwa einen Faktor 10 auf den 0.3 Mikrometerbereich skaliert. Die Deposition der Dielektrika wird von der bisher verwendeten PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) auf Sputtern (mit einer neuen O/N Plasma-Quelle) umgestellt. Die größten verwendeten Prozesstemperaturen werden 100°C nicht überschreiten. Passivierungsschichten werden ebenfalls mit Sputtern (mit großem Abstand zur Quelle) aufgebracht, um die darunterliegenden Schaltungen nicht zu verändern. Zudem werden Verkapselung und Laminierung untersucht.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
