"Silicene auf Kupfer": Herstellung von monoatomaren Siliziumschichten mit siliceneartiger Struktur auf der Oberfläche von Cu3+xSi durch chemische und mechanische Delamination

• Antragsteller: Dr.-Ing. Jürgen Gluch
• Fachliche Zuordnung: Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
• Förderung: Förderung von 2015 bis 2018
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 267459210

Für ein grundlegendes Verständnis der zu Graphene analogen Struktur von Silicium, zumeist als Silicene bezeichnet, werden Präparationsmethoden benötigt die die Herstellung das Silicene in ausreichender Größe und Qualität ermöglichen. Die derzeit verfügbaren Methoden erfüllen diese Anforderungen nicht, weshalb der der Fortschritt auf dem Gebiet der experimentellen Erforschung von Silicene dem der Theorie nicht folgen kann. Wir meinen, dass Siliceneoberflächen aus Kupfersilicid Cu(3+x)Si hergestellt werden können, denn die kürzlich beschriebene Struktur von Kupfersilicid enthält monoatomare Lagen von Silicium in siliceneartiger Anordnung. Das Ziel dieses hier vorgeschlagenen Projektes ist daher das Finden eines optimalen Herstellungsprozesses für Cu(3+x)Si mit hoher Qualität, Größe und bevorzugter Anordnung der Siliciumlagen, die eine anschließende Freilegung ermöglicht. Kupfersilicid soll mit Niederdruck-CVD-Verfahren und durch Magnetronsputtern auf Si- oder Cu-Subtrate erfolgen. Die Siliceneflächen werden durch selektive chemische Ätzprozesse oder durch mechnische Spaltung freigelegt. Auf diese Art wird es möglich große monoatomare siliceneartige Schichten auf Substraten aus Kupferclustern herzustellen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Internationaler Bezug: Tschechische Republik
• Partnerorganisation: Czech Science Foundation
• Kooperationspartner: Dr. Vladislav Drinek; Dr. Lukas Palatinus
• Mitverantwortlich: Professor Dr. Ehrenfried Zschech