Gedruckte organische Feldeffekttransistoren mit hoher Gate-Kapazität

• Antragsteller: Dr.-Ing. Georg Schmidt
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2013 bis 2014
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 252745734

Das Projekt Gedruckte organische Feldeffekttransistoren mit hoher Gate-Kapazität kann den Forschungsbereichen Organische Elektronik und im Speziellen der Gedruckten Elektronik zugeordnet werden. Diese eng verknüpften Forschungsgebiete erhalten in den letzten Jahren viel Aufmerksamkeit offerieren sie doch die Möglichkeit der Herstellung von vielfältigsten flexiblen Elektronikprodukten wie organischen Leuchtdioden, organischen Solarzellen und organischen Schaltungen mittels kostengünstiger Druckverfahren.Das Forschungsvorhaben widmet sich konkret der Erforschung und Entwicklung von speziellen gedruckten Dielektrika zur Erzielung von möglichst hohen Gate-Kapazitäten in organischen Feldeffekttransistoren (OFET). Bisherige vollständig gedruckte OFETs weisen zumeist sehr niedrige Kapazitätswerte auf und benötigen somit hohe Betriebsspannungen, die den Einsatz in zukünftigen Anwendungen hindern. Zur Lösung des Problems sollen polymere Doppelschichtsysteme bestehend aus einem low-k- und einem high-k-Material genutzt werden, die eine zehnfach höhere Kapazität bei gleichbleibender Gesamtschichtdicke im Vergleich zu Einschichtsystemen ermöglichen sollen.

• DFG-Verfahren: Forschungsstipendien
• Internationaler Bezug: Finnland
• Gastgeber: Henrik Sandberg, Ph.D.