Integrated sensor for electro-magnetic near-field scanning
Zusammenfassung der Projektergebnisse
Im Projekt wurden sowohl in einer GaAs-HEMT-, als auch zum Vergleich in einer SiGe-HBT-Technologie monolithisch integrierte und somit miniaturisierte aktive Sonden zur Messung elektrischer und magnetischer Nahfelder mit einer Ortsauflösung von etwa 100 µm und einer Bandbreite von 10 GHz entwickelt. Passive Sonden sowie angepasste Breitbandverstärker in Source- bzw. Gateschaltung wurden entworfen, modelliert, einzeln vermessen und anschließend zu aktiven Einzel- und Doppelsonden integriert. Erste Tests an den integrierten aktiven Sonden bestätigen die Simulationsrechnungen auf der Basis der Einzelkomponenten. Die erhöhte Ortsauflösung, die Verstärkung im Bereich von 25-30 dB und die Impedanzanpassung auf 50 Ω ergeben wesentliche Vorteile der integrierten aktiven Lösung gegenüber den passiven Sonden. Dagegen stellen Rauschzahlen im Bereich von 10-15 dB, der 1dB-Kompressionspunkt von -24 dBm sowie die Isolation der Doppelsensoren von 20-30 dB hinsichtlich der erreichbaren Dynamik eine Einschränkung dar.
Projektbezogene Publikationen (Auswahl)
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”Integrated Magnetic Loop Probe in GaAs Technology for Active Near-Field Sensor”, European Microwave Conf., Amsterdam/Netherlands, 2008, pp.1070-1073
N. Uddin, M. Spang, A. Thiede
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”Common Gate Cross-Coupled Differential Amplifier for Near-Field Sensors”, Electronics Letters, vol.45(2009), no.18, pp.918-920
N. Uddin, A. Thiede
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”Integrated Active Near-Field Sensor in GaAs Technology”, European Microwave Integrated Circuit Conf., Rome/Italy, 2009, pp.278-281
N. Uddin, M. Spang, T. Mager, A. Thiede
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”Integrated Active Sensors for Near-Field Scanning”, Int. Symp. on Theoretical Electrical Engineering, Luebeck/Germany, 2009, pp.398-402
N. Uddin, M. Spang, T. Mager, A. Thiede
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”Integrated Active Loop Sensor in SiGe Technology for Near-Field Scanning”, European Microwave Integrated Circuit Conf., Paris/France, 2010, pp.94-97
N. Uddin, A.S. Awny, A. Thiede
