Detailseite
Projekt Druckansicht

Thermische Eigenschaften von AlInN/GaN Transistoren

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2013 bis 2014
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 252275599
 
Ein besonders vielversprechender neuartiger Transistortyp (AlInN HEMT) erlaubt z.B. höhere Stromdichten als herkömmliche Strukturen. Die Betriebssicherheit dieses Transistortyps ist bislang nicht ausreichend untersucht und soll mittels Vergleichen von Transistor-Kennlinien zu bildgebenden thermischen Verfahren analysiert werden. Insbesondere wird Raman-Spektroskopie zum Einsatz kommen.
DFG-Verfahren Forschungsstipendien
Internationaler Bezug Großbritannien
 
 

Zusatzinformationen

Textvergrößerung und Kontrastanpassung