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Highest-Linearity Nyquist Rate SAR ADCs in nm-CMOS - NanoSAR

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 2014 bis 2021
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 245868713
 
Erstellungsjahr 2021

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Das vorliegende Projekt war die Fortsetzung des zuvor sehr erfolgreich durchgeführten Projekts, in dem unsere Gruppe die Kombination eines stromsparenden SAR-ADCs mit einem inkrementellen Sigma-Delta-DAC vorschlagen und veröffentlichen konnte, der eine erweiterte Linearität in einem Hochleistungs-SAR realisierte. Die Fortsetzung des Projekts sollte Wege zur Beschleunigung des Betriebs finden, alternative Wege zur Realisierung des I-SD DACs finden und weitere hochauflösende, rauscharme Komparatoren analysieren. Wir konnten Veröffentlichungen zum Thema eines neuen SMASH I-SD DAC sowie zum eingangsbezogenen Rauschen von VCO-basierten Komparatoren und eingangsbezogenem Rauschen von SAR ADC erreichen. Es wurde außerdem der Prototyp einer neuen SAR-Architektur auf Basis eines split-C-DACs und auf Basis einer reinen I-SD DAC basierten Kalibrierung in einer 40nm CMOS Technologie realisiert. Der Chip befindet sich derzeit in der Messphase. Er ist funktionsfähig, aber noch nicht mit der vollen simulierten Spezifikation. Wir hoffen, das Projekt nach Vorlage dieses Berichts mit einer erfolgreichen Messung und einer schaltungsbasierten Veröffentlichung abschließen zu können.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

 
 

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