Metallorganische Gasphasenepitaxie von Halbleiter-Heterostrukturen und grenzflächen (A01)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2013 bis 2021
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 223848855

In diesem Projekt werden definierte Grenzflächen in III/V-Verbindungshalbleiterhetero-Strukturen mittels der erarbeiteten Metallorganischen Gasphasenepitaxie bei tiefen Temperaturen hergestellt und untersucht. Die erfolgreichen Studien an GaP/(001)Si als Modell-system für eine gitterangepasste, polar/nichtpolare Grenzfläche wird auf die GaP/(211)Si-,AlP/(001)Si, GaAs/(001)Ge- und (GaIn)P/(001)Ge-Grenzflächen-Konfigurationen ausgedehnt. Der Einfuss der Verspannung auf die Grenzflächenbildungsmechanismen wird an verspannten (GaIn)As/(GaInP)-Heterostrukturen aufgeklärt. Darüber hinaus werden spezielle metastabile, vielkomponentige (GaIn)(NAsSb)-basierte Heterostrukturen mit Typ-II-Bandanordnung für fundamentale Studien von "Charge Transfer"-Anregungen, als auch für mögliche Anwendungen in kantenemittierenden Laserstrukturen optimiert.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 1083: Struktur und Dynamik innerer Grenzflächen
• Antragstellende Institution: Philipps-Universität Marburg
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Wolfgang Stolz