Integriertes Ionenstrahlätzsystem mit Endpunktdetektion

• Fachliche Zuordnung: Materialwissenschaft
• Förderung: Förderung in 2012
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 230532068

„Das beantragte integrierte Ionenstrahlätzsystem mit Endpunktdetektion dient zur kontrollierten Mikro- und Nanostrukturierung dünner Schichten. Im Fachbereich Materialwissenschaft sind in den letzten Jahren zwei hochmoderne Dünnschichtsysteme zur gepulsten Laserdeposition (PLD) und reaktiven Molekularstrahlepitaxie (MBE) aufgebaut worden. Zur Vermessung der interessierenden physikalischen Materialeigenschaften wie z.B. der kritischen Ströme in Supraleitern, der Spinpolarisation in Magnetowiderstandsbauelementen oder der Varaktoreigenschaften für Mikrowellenkomponenten ist eine Mikrostrukturierung unabdingbar. Da überwiegend oxidische Materialien strukturiert werden sollen, ist die Verwendung von Sauerstoffionen und eine entsprechende Probenkühlung notwendig.Die Integration des Systems in das vorhandene Dünnschichtcluster erlaubt die in situ Präparation von Oberflächen für nachfolgende Schichtdepositionen wie z.B. in Rampenkontakten. Ebenso können in situ Substrate vorbereitet werden. Die Endpunktdetektion ist notwendig, um in komplexeren Bauteilen mit mehreren funktionalen Schichten in der anvisierten Schicht zielgenau den Ätzvorgang stoppen zu können.“

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 8330 Vakuumbedampfungsanlagen und -präparieranlagen für Elektronenmikroskopie
• Antragstellende Institution: Technische Universität Darmstadt
• Leiter: Professor Dr. Lambert Alff