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Molekularstrahlepitaxie magnetischer Mangan-haltiger Halbleiter (B01)

Fachliche Zuordnung Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2006 bis 2017
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 14086190
 
Durch optimiertes Wachstum von GaMnAs auf unterschiedlichen Substratorientierungen, durch Kodotierungsowie durch gezieltes Einbringen von Verspannung sollen die Eigenschaften des ferromagnetischenHalbleiters beeinflusst und so eine möglichst hohe Curie-Temperatur erreicht werden. In- undex-situ Temperbehandlung sowie Kodotierung mittels Si oder C soll in volumen- und modulationsdotiertenGaMnAs-Schichten verwendet werden um eine Erhöhung der Löcherkonzentration oder derMn-Atome auf Ga Gitterplätzen zu erreichen.
DFG-Verfahren Sonderforschungsbereiche
Antragstellende Institution Universität Regensburg
 
 

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