Kurzpulslasersystem

• Fachliche Zuordnung: Elektrotechnik und Informationstechnik ; Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 147642423

Die geplanten Arbeiten erfordern eine Kurzpuls-Lichtquelle mit den folgenden Eigenschaften:• für Wide-Gap Nitride benötigen wir den Spektralbereich 300 – 700 nm,• für verdünnte Nitride (z.B. GaNAsP/Si, GaInNAs/GaAs) benötigen wir den Spektralbereich 800-1600 nm,• für die Untersuchung von Halbleitermaterialien in einem frühen Entwicklungsstadium mit langenPhotolumineszenztransienten ist die Herabsetzung der Repetitionsfrequenz auf den Bereichweniger MHz und darunter erforderlich.Der derzeit verwendete Ti:Saphir-Laser erfüllt diese Spezifikationen nicht, er deckt lediglich denSpektralbereich 700 nm - 930 nm ab, ist nicht in der Repetitionsfrequenz herab setzbar und liefert eineAusgangsleistung von nur maximal 1W. Diese Ausgangsleistung reicht nicht zum effizienten Pumpenvon Frequenzverdoppler und –verdreifacher bzw. Optisch Parametrischem Oszillator (OPO), die allebenötigt werden, um in die erforderlichen Spektralbereiche vorzudringen. Somit wird ein Ti:Saphir-Lasersystem mit stärkerem Pumplaser benötigt. Zum Herabsetzen der Repetitionsfrequenz ist einPulspicker erforderlich.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 5700 Festkörper-Laser
• Antragstellende Institution: Ruhr-Universität Bochum
• Leiter: Professor Dr. Martin Hofmann