Molekularstrahlepitaxie-Doppelkammeranlage

• Fachliche Zuordnung: Physikalische Chemie
• Förderung: Förderung in 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 109815806

Mit der Berufung des Antragstellers an die Justus-Liebig-Universität Gießen leistete die Hochschulleitung die Zusage, den Universitätsanteil der Neubeschaffung einer Molekularstrahlepitaxie-Doppelkammeranlage im Rahmen eines Großgeräteantrags nach Art. 91 GG auf Basis des vorgelegten Angebotes zu tragen. Die geplanten wissenschaftlichen Aktivitäten des Antragsstellers umfassen das selbstorganisierte Wachstum und die Charakterisierung von Halbleiter-Nanostrukturen basierend auf den Materialsystemen der Gruppe Ill-Nitride (III-N) und der Gruppe Il-Oxide (II-O). Die Analyse der optischen und elektronischen Eigenschaften derartiger Strukturen ist wegen der hohen kristallinen Qualität von großem Interesse. Darüber hinaus dienen sie als zentrale Elemente für die Realisierung neuartiger chemischer und biochemischer Sensoren unter Ausnutzung ihrer spezifischen optoelektronischen Eigenschaften. Diese Aktivitäten wurden vom Antragsteller bereits in den vergangenen Jahren in München erfolgreich begonnen. Als neues Forschungsgebiet sollen darüber hinaus lll-N/ll-O-Heterostrukturen und Nano-Heterostrukturen synthetisiert und deren strukturelle, elektronische und optische Eigenschaften untersucht werden. Dies ist ein national und international noch nicht bearbeitetes Forschungsthema und von großem Interesse für Anwendungen in der Sensorik und der Optoelektronik. Ein System zur Molekularstrahlepitaxie ist bisher weder an der Justus-Liebig-Universität Gießen noch an der benachbarten Philipps-Universität Marburg verfügbar.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 0920 Atom- und Molekularstrahl-Apparaturen
• Antragstellende Institution: Justus-Liebig-Universität Gießen
• Leiter: Professor Dr. Martin Eickhoff