Hochvakuum Beschichtungsanlage mit Load-Lock Kammer
Final Report Abstract
Die Anlage wird vor allem für die Herstellung niederohmiger elektrischer Kontakte an Halbleitermaterialien und Graphen eingesetzt. Kontaktmaterialien waren bislang vor allem Gold-Germanium (Au-Ge) und Palladium (Pd). Die entsprechenden Filme werden mit der Anlage aufgebracht und im Anschluss zum Teil temperaturbehandelt. Ziel ist in allen Fällen die Herstellung niederohmiger elektrischer Kontakte. Der große Vorteil der Anlage besteht in der Load-Lock Kammer, welche es erlaubt, Proben in die Kammer einzuschleusen, ohne das Hochvakuum in der Anlage brechen zu müssen. Die Anlage wurde bislang im Rahmen folgender Projekte eingesetzt: SFB 689 Projekt A7: Spinabhängiger Transport in ballistischem Graphen Einsatz: Niederohmige Pd-Kontakte an Graphen. - GRK 1570: Übergitterstrukturen auf Graphen. Einsatz: Ti-Au Kontakte, Pd-Kontakte. - SPP 1459: Ratscheneffekte und Photoströme in Graphen-Übergittern Einsatz: Niederohmige Pd-Kontakte an Graphen. - SFB 689, Projekt B6: Spininjektion in zweidimensionalem Elektronengas Einsatz: Ti-Au-Kontakte an n-GaAs und an zweidimensionale Elektronengase. - Projekt Uni Regensburg: Anisotropie an Fe/GaAs Grenzflächen Einsatz: Ti-Au-Kontake an wenige Atomlagen dünne Eisenfilme, die epitaktisch auf GaAs gewachsen werden.
Publications
-
Phase coherent transport in graphene nanoribbons and graphene nanoribbon arrays. Physical Review B 86, 155403 (2012)
Minke, S., Bundesmann, J., Eroms, J. und Weiss, D.
-
Annealing-induced magnetic moments detected by spin precession measurements in epitaxial graphene on SiC. Physical Review B 87, 81405 (2013)
Birkner, B., Pachniowski, D., Sandner, A., Ostler, M., Seyller, T., Fabian, J., Ciorga, M., Weiss, D. und Eroms, J.
-
Ultrafast graphene-based broadband THz detector. Applied Physics Letters 103, 21113 (2013)
Mittendorf, M., Winnerl, S., Kamann, J., Eroms, J., Weiss, D., Schneider, H. und Held, M.
