High-brightness diode lasers (C 05)

• Subject Area: Experimental Condensed Matter Physics
• Term: from 2008 to 2011
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 43659573

Das Ziel dieses Teilprojektes ist es, die physikalisch-technologischen Grundlagen für die Realisierung hochbrillanter und longitudinal monomodiger Diodenlaser, die sich durch eine für Halbleiterlaser extrem geringe Divergenz (< 7°) und neuartige Formen der Wellenlängenstabilisierung auszeichnen, beispielhaft im strategisch wichtigen Wellenlängenbereich 800 nm - 1100 nm zu schaffen. Hauptgegenstand ist dabei die Untersuchung von Wellenleiterstrukturen, die auf photonischen Kristallen beruhen und deren Einbindung in Kavitäten unter Nutzung von Mehrfachquantengräben und -quantenpunktstrukturen für die aktiven Schichten.

• DFG Programme: Collaborative Research Centres
• Subproject of: SFB 787: Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, Devices
• Applicant Institution: Technische Universität Berlin
• Co-Applicant Institution: Ferdinand-Braun-Institut gGmbH; Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
• Project Heads: Professor Dr. Dieter Bimberg; Dr. Götz Erbert