Materials for high brilliance green laser diodes (A 01)

• Subject Area: Experimental Condensed Matter Physics
• Term: from 2008 to 2011
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 43659573

Das Ziel dieses Projektes ist die Realisierung hocheffizienter und homogener InGaNNanomaterialienund darauf basierend die Demonstration GaN-basierter Laserdioden hoherBrillanz im blau-grünen Spektralbereich. Das Projekt gliedert sich im Wesentlichen in dreiBereiche: 1. Grundlegende Untersuchungen zu Wachstumsprozessen von InGaN-Schichten mit hohem Indium-Gehalt, 2. epitaktisches Wachstum von InGaN-Quantenpunktstrukturen3. Untersuchung des Wachstums auf nichtpolaren GaN-Oberflächen.

• DFG Programme: Collaborative Research Centres
• Subproject of: SFB 787: Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, Devices
• Major Instrumentation: Feldemission-Rasterelektronenmikroskop ; Waferkrümmungssensor
• Applicant Institution: Technische Universität Berlin
• Co-Applicant Institution: Ferdinand-Braun-Institut gGmbH; Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
• Project Heads: Professor Dr. Michael Kneissl; Professor Dr. Günter Tränkle