Project Details
Projekt
Reaktive Ionenätzanlage mit induktiv gekoppelter Plasmaquelle (ICP-RIE etcher)
Subject Area
Condensed Matter Physics
Term
from 2007 to 2010
Project identifier
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 59348980
Die neue Ätzanlage soll eingesetzt werden zur Herstellung von III-V Nano Strukturen mit hohem Aspektverhältnissen. Die beantragte Anlage ist speziell ausgelegt für Chlorchemie, wie sie benötigt wird zur Prozessierung von III-V Materialien, wie z.B. GaAs oder InP-basierende Hetero-Strukturen.Die Anlage ist von zentraler Bedeutung zur Herstellung von optoelektronischen und nanophotonischenBauelementen, die große Ätztiefen mit hohen Aspektverhältnissen benötigen, wie z.B. optische MEMS-Strukturen auf der Basis von III-V Materialien, Stegwellenleiterstrukturen, vertikal emittierendeMikroresonatoren, Photonische Kristallstrukturen, Photonische Drähte, Mikrolaser mit lateralen Bragg-Spiegeln etc.. Hierbei ist sowohl die im Vergleich zu RIE-Anlagen wesentlich höheren Ätzraten als auch die erheblich verbesserte Kontrolle der Ätzflankensteilheit und der Masken/Halbleiterselektivität von Bedeutung.Die Anlage ist für beide Fachgebiete (Technische Physik und Technische Elektronik) des Instituts fürNanostrukturtechnologie und Analytik von zentraler Bedeutung für eine fortgeschrittene und international konkurrenzfähige Strukturierungstechnologie, die im Rahmen von bereits laufenden als auch insbesondere in neu beantragten nationalen und internationalen Forschungsprojekten maßgeblich eingesetzt werden soll.
DFG Programme
Major Research Instrumentation
Instrumentation Group
0930 Spezialgeräte der Halbleiterprozeßtechnik
Applicant Institution
Universität Kassel
