Electrostatically Defined Spin Qubits in Si/SiGe: Devices and Materials with Engineered Nuclear Spin Concentration (C 04)

• Subject Area: Experimental Condensed Matter Physics
• Term: from 2003 to 2015
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5485864

Im Projekt werden Heterostrukturen und elektrostatisch definierte Quantenpunkt-Bauteile entwi-ckelt. Ziel ist es kohärente Kontrolle von Spin Qubits in Silizium-basierten Wirtsumgebungen zu de-monstrieren, deren Gehalte an Kernspins gezielt eingestellt werden. Der Kernspingehalt wird wäh- 11 rend des Molekularstrahlepitaxieprozesses der aktiven Schicht der Heterostruktur unter Verwendung isotopenreinen Quellenmaterials ausgewählt. Die aktive Schicht enthält ein zweidimensionales Elekt-ronensystem welches in einer Siliziumschicht eingeschlossen ist. Diese Siliziumschicht wird durch eine Silizium-Germanium-Legierung verspannt (Si/SiGe). Auf der Oberfläche der Heterostruktur ab-geschiedene Metallgatter erlauben durch den Feldeffekt die elektrostatische Definition von Quan-tenpunkten.

• DFG Programme: Collaborative Research Centres
• Subproject of: SFB 631: Solid State Based Quantum Information Processing: Physical Concepts and Materials Aspects
• Applicant Institution: Technische Universität München (TUM)
• Co-Applicant Institution: Universität Regensburg
• Project Heads: Professor Dr. Gerhard Abstreiter; Professor Dr. Dominique Bougeard