Gitterangepaßtes MBE-Wachstum von (In,Ga)As/(In,Al)As- und (In,Ga)As/Al(As,Sb)-Strukturen auf InP für Intersubband-Emitter

• Antragsteller: Dr. Harald Künzel
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5467121

Photonische Halbleiterbauelemente auf der Basis von Intersubband-Übergängen, d.h. Übergängen unter Beteiligung nur eines Ladungsträgertyps, ermöglichen die flexible Einstellung der Arbeitswellenlänge über eine entsprechende Anpassung der Strukturparameter sowie die Nutzung von Zeitkonstanten im Bereich weniger Pikosekunden. Auf der Basis von InP-Substraten bieten gitterangepaßte (In,Ga)As/(In,Al)As-Strukturen Zugang zum Bereich von 3 - 12 µm. Durch den Übergang von Indium- auf Antimon-haltiges Barrierenmaterial kann die Diskontinuität prinzipiell soweit erhöht werden, daß die Übergangswellenlänge von 1,55 µm die die Grundlage für glasfasergestützte Kommunikationssysteme bildet, realisierbar wird. Dieses Forschungsvorhaben hat die materialtechnologische Entwicklung von (In,Ga)As/(In,Al)As- und (In,Ga)As/Al(As,Sb)-Strukturen mittels konventioneller Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) für Intersubband-Emitter zum Ziel. Das Vorhaben beinhaltet die kontrollierte Herstellung von ultradünnen Schichtstrukturen als Basismaterialien für die Untersuchungen zu Tunnel- und Rekombinationsprozessen und deren theoretische Analyse innerhalb der Forschergruppe. Hierfür ist die Kontrolle des entsprechenden MBE Wachstumsprozesses, neben der Sicherstellung adäquater Materialqualität, auf ein Höchstmaß derart zu optimieren, daß nominelle und realiserte Strukturparameter in Einklang sind.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 394: Lichtemitter auf der Basis von Intersubband-Übergängen