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Plastische Relaxation von Si1-xGex-Schichten, makro- und mikroskopische Mechanismen

Subject Area Experimental Condensed Matter Physics
Term from 2000 to 2003
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5240020
 
Silizium-Germanium-Mischkristallschichten auf Siliziumsubstraten sind als Materialsystem für schnelle Mikroelektronik etabliert. Dennoch können bestimmte Möglichkeiten des Materialsystems nicht voll ausgeschöpft werden, da die Relaxation mittels Misfitversetzungen nicht hinreichend beherrscht wird. In einem vorangehenden Projekt wurde nachgewiesen, daß Quergleiten bei der Relaxation eine wesentliche Rolle spielt und daß es Möglichkeiten gibt, lokal plastische Relaxation auszulösen.Wesentliche Teilprozesse der Relaxation sind in der Anfangsphase die Nucleation an bisher unbekannten Defekten und im weiteren Verlauf die Konkurrenz von Blockierung und Quergleiten bei der Propagation von Misfitversetzungen. Diese Mechamismen sollen durch die Kombination von Röntgentopographie, Atomkraftmikroskopie und vor allem Transmissionselektronenmikroskopie mittels Zielpräparation in verschiedenen Skalenbereichen untersucht werden. Diese Techniken sollen andererseits auch eingesetzt werden, um Blockierung und Quergleiten in speziell präparierten Proben untersuchen zu können.
DFG Programme Research Grants
Participating Person Professor Dr. Wolfgang Neumann
 
 

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