Mit fokussierten Ionenstrahlen hergestellte Strukturen in der Ebene und an Oberflächen von dünnen kristallinen und amorphen Silizium-Schichten auf amorphen Substraten und ihre Anwendung auf Flüssigkristallsysteme

• Antragsteller: Professor Dr. Andreas Dirk Wieck
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2006
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5218058

Die heutigen Konzepte von Halbleiter- und opto-elektronischen Systemen basieren vollständig auf photolithographischer Maskierung des Substrates, gefolgt von einer Vielzahl von Präparationsschritten wie Abscheidung, Ätzen oder Dotierung. Wegen der bekannten und erwarteten Limitierungen der Photolithographie wurde über einen Zeitraum von Jahren intensive Erforschung und Entwicklung von alternativen maskenlosen Herstellungstechniken durchgeführt. Eine dieser Techniken ist die Strukturierung und Implantation mit fokussierten Ionenstrahlen. Zur Zeit dominieren Silizium-basierte elektronische Bauteile in Kombination mit Flüssigkristallen. Unter Beachtung dieser Tatsache wollen wir dünne amorphe und kristalline Siliziumschichten auf Glas- oder Quarzsubstraten durch maskenlose fokussierte Ionenimplantation strukturieren. Dies könnte eine neue Methode zur Herstellung von Treibertransistoren in "in-plane-gate"-Technologie eröffnen, die später sogar auf zukünftige organische Materialien ausgeweitet werden könnte. Bisher gibt es nur sehr wenig Erfahrungen mit der Strukturierung solcher Schichten durch fokussierte Ionenstrahlen. Die auf diese Weise hergestellten "in-plane-gate"-Transistoren sollen elektrisch durch Gleichstrom- und Wechselstrommessungen charakterisiert werden, was zur Aufdeckung einiger ihrer grundlegenden physikalischen Mechanismen beitragen wird. Nach Optimierung der Eigenschaften der Transistoren durch Wahl eines geeigneten Ausgangsmaterials und Einstellung der Herstellungsschritte sollen sie als Treiberbauteile in Flüssigkristallsystemen integriert werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Internationaler Bezug: USA, Weißrussland
• Beteiligte Personen: Anatoli Marauski; Heiner Röcken; Sergej Yakovenko