Rastersondenlithographie

• Antragsteller: Professor Dr. Günter Reiss
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1998 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5462737

Veröffentlichungen der letzten Jahren haben zunehmend neue Wege in der Nanostrukturierung unter Verwendung von Rastersondenmethoden aufgezeigt. Mit dem Rastertunnelmikroskop kann z.B. eine Niederenergie-Elektronenstrahl-Lithographie implementiert werden, die Strukturgrößen unter 10nm erreicht. Auch die mechanische Modifikation von Strukturen im Rasterkraftmikroskop konnte sich ähnliche Größenbereiche erschließen, wobei sich hier besonders Kunststoffe wie Polycarbonat als Medium bewährt haben. In diesem auf die Massenspeicherung von Daten abzielenden Bereich wurden bereits Lesegeschwindigkeiten mit dem RKM erreicht, die über denen von CD-Laufwerken liegen. In der Grundlagenforschung können diese Methoden einerseits als Instrumente für die Untersuchung und Aufklärung neuer Möglichkeiten der Nanostrukturierung eingesetzt werden, die durch Modifikationen auf konventionelle Techniken übertragbar sind. So wurde demonstriert, daß ein direktes Schreiben von Kohlenstoff-Lithographiemasken sowohl im RKM unter zusätzlicher Einwirkung eines elektrischen Feldes als auch im RTM möglich ist. Diese Technik eröffnet eine direkte Verknüpfung mit konventionellen Lithographie-Techniken und -Prozessen. Aufgrund unserer Erkenntnisse aus den Vorarbeiten und der neuen Literatur sowie den Vorhaben der Forschergruppe zur Strukturierung von selbstorganisierenden Schichten schlagen wir für dieses Teilprojekt zwei neue Wege zur Erzeugung von Nanostrukturen vor: die selektive chemische Gasphasenabscheidung auf im e-RKM und im RTM vorstrukturierten Halbleitersubstraten; die Herstellung von Masken durch Oxidation von Kohlenstoffschichten im e-RKM für nachfolgende Lithographieschritte.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 225: Neue chemische und physikalische Ansätze für Abscheidung, Wachstum und Lateralstrukturierung von Nanometerschichtsystemen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Hubert Brückl