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Projekt
Schichtstrukturen für GaN basierende Feldeffekttransistoren: Materialherstellung und Charakterisierung
Antragsteller
Professor Dr. Karl Joachim Ebeling
Fachliche Zuordnung
Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung
Förderung von 1999 bis 2004
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5169938
Für hochwertige GaN basierende Feldeffekttransistoren sollen geeignete Schichtstrukturen entwickelt, hergestellt und charakterisiert werden. Die Herstellung der HFET- und MODFET-Strukturen erfolgt mittels MOVPE auf Saphir-Substraten. Die vorgeschlagenen Arbeiten basieren auf einer etablierten GaN Technologie, die bereits HFETs mit sehr guten elektrischen Daten und einer Temperaturstabilität bis zu 750°C demonstrieren konnte. Darauf aufbauend beinhalten die Forschungsziele die Optimierung der Einzelschichten und des vertikalen Aufbaus der FETs anhand von Bauelementstrukturen. Die physikalischen Grundlagen der Bufferschicht werden im Hinblick auf vertikale Homogenität und Temperaturverhalten studiert. Schichtfolgen mit unterschiedlichen Verspannungen gestatten eine Untersuchung des piezoelektrischen Effekts. InGaN-Kanäle werden im Hinblick auf eine Erhöhung der Leitfähigkeit im Kanal erforscht, wobei die Einflüsse auf die Temperaturstabilität dieser FETs zu betrachten sind. AlN-Schichten niedriger Hintergrunddotierungen werden als Barrierenmaterial untersucht. Sie können außerdem möglicherweise oxidiert werden, um so einen MISFET realisieren zu können. Das gesamte Arbeitsprogramm ist so abgestimmt, daß die zu untersuchenden Schichtstrukturen zu vollständigen Feldeffekttransistoren prozessiert werden können, um die Auswirkungen auf vollständige Bauelemente untersuchen zu können.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
