Räumliche und elektronische Struktur von Siliziddrähten auf Si(001)

• Antragsteller: Professor Dr. Mario Dähne
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5160506

Das Vorhaben befaßt sich mit der räumlichen Struktur und den elektronischen Eigenschaften von eindimensionalen Silizidstrukturen auf der Si(001)-Oberfläche. Dazu werden Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie eingesetzt. Die Untersuchungen konzentrieren sich auf: die atomare Struktur der Drähte, den Einfluß der Wachstumsparameter wie Schichtdicke, Gitterfehlanpassung, Substrattemperatur, Temperbedingungen und Substratfehlorientierung, die elektronischen Eigenschaften der Drähte sowie auf Quanteneffekte, wie z.B. stehende Elektronenwellen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen