Elektronische Struktur von Graphen/Ge-Systemen mit maßgeschneiderten Grenzflächen

• Antragsteller: Professor Dr. Mikhail Fonin
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2019 bis 2024
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 428756509

Im vorliegenden Projekt werden die strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Graphen-Schichten auf Germanium-Substraten mit den Ebenen (110) und (100) untersucht. Insbesondere die elektronischen Eigenschaften derartiger Systeme wurden bisher nicht untersucht. Darüber hinaus wird die Änderung der Grenzflächen zwischen Graphen und Germanium durch Einbringen verschiedener Zwischenschichten, beispielsweise Sauerstoff und dünne Oxidschichten, erfasst. Ziel ist hierbei das Entkoppeln von Graphen und Substrat als auch das genaue Maßschneidern der Graphen Eigenschaften. Sowohl mit strukturellen Methoden (LEED, STM/AFM) als auch mit der Photoelektronenspektroskopie (NEXAFS, XPS, ARPES) wird die Auswirkung des Substrats auf Graphen-Eigenschaften untersucht. Zusätzlich werden theoretische Berechnungen der untersuchten Systeme herangezogen, um die beobachteten Phänomene besser zu verstehen und auf neue interessante Phänomene hinzuweisen. Am Ende des Projekts ist die Herstellung von Proben geplant, deren elektronische Eigenschaften mithilfe von XPS und NEXAFS sowohl in operando als auch unter äußeren Umwelteinflüssen untersucht werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen