Herstellung und Charakterisierung von silberhaltigen dünnen Germanium-Selen Schichten

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2006 bis 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 25145806

Im Rahmen des beantragten Vorhabens sollen dünne Schichten Silber-dotierter amorpher Schichten aus Germanium-Selen in einer chemischen Gasphasenabscheidung unter Verwendung metallorganischer Germanium und Selen Precursoren niedergeschlagen und charakterisiert werden. Zuerst soll eine Dotierung der Schichten mit Silber thermisch oder durch Photodiffusion aus einer unmittelbar nach der Synthese ebenfalls in einer metallorganischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) abgeschiedenen dünnen Silberschicht später durch Einbau von Silberatomen aus einer metallorganischen Quelle während der Niederschlagung der Schichten erfolgen. Die Charakterisierung der hergestellten Materialien erfolgt ortsaufgelöst hinsichtlich ihrer Zusammensetzung, ihrer Nanostruktur, ihrer Morphologie und ihrer elektrischen Transporteigenschaften. Speziell zur Charakterisierung der Drift von Silberionen unter Einfluss eines elektrischen Feldes in diesen Germanium-Selen Dünnschichten werden fein-strukturierte Testbauelemente bestehend aus einem Stapel dünner Schichten, aus einer inerten Elektrode, einer Silberdotierten Germanium-Selen Schicht und einer S über-Elektrode, untersucht. Eine mögliche bedeutende Anwendung dieser Schichten ist in den sogenannten CBRAMs (Conductive Bridging Random Access Memory) gegeben.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen