Science of polar homo- and heterointerfaces

• Antragsteller: Dr. Martin Albrecht; Professor Dr. Axel Hoffmann
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik ; Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2012 bis 2016
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 198775133

• Erstellungsjahr: 2021

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Keine Zusammenfassung vorhanden

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

• Temperature dependent photoluminescence of lateral polarity junctions of metal organic chemical vapor deposition grown GaN, J. Appl. Phys. 110, (2011) 093503
  R. Kirste, R. Collazo, G. Callsen, M.R. Wagner, T. Kure, J. S. Reparez, S. Mita, J. Xie, A. Rice, J. Tweedie, Z. Sitar, A. Hoffmann
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.3656987)
• The optical signature of Mg doped GaN: Transfer processes, Phys. Rev. B 86 (2012), 075207
  C. Callsen, M.R. Wagner, T. Kure, J.S. Reparaz, M. Bügler, J. Brunnenmeier, C. Nenstiel, A. Hoffmann, M. Hoffmann, J. Tweedie, Z. Bryan, S. Aygun, R. Kirste, R. Collazo, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1103/physrevb.86.075207)
• Compensation effects in GaN: Mg probed by Raman spectroscopy and photoluminescence measurements, J. Appl. Phys. 113 (2013), 203504
  R. Kirste, M.P. Hoffmann, J. Tweedie, Z. Bryan, G. Callsen, T. Kure, Ch. Nenstiel, M. R. Wagner, R. Collazo, A. Hoffmann, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.4794094)
• Ge doped GaN with controllable high carrier concentration for plasmonic applications, Appl. Phys. Lett. 103 (2013), 242107
  R. Kirste, M.P. Hoffmann, E. Sachet, M. Bobea, Z. Bryan, I. Bryan, C. Nenstiel, A. Hoffmann, J.P. Maria, R. Collazo, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.4848555)
• Phonon pressure coefficients and deformation potentials of wurtzite AlN determined by uniaxial pressuredependent Raman measurements, Phys. Rev. B 90 (2014), 205206
  G. Callsen, M. R. Wagner, J. S. Reparaz, F. Nippert, T. Kure, S. Kalinowski, and A. Hoffmann, M. J. Ford and M. R. Phillips, R. F. Dalmau and R. Schlesser, R. Collazo and Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1103/physrevb.90.205206)
• Properties of AlN based lateral polarity structures, phys. stat. sol. (c) 11 (2014), 261
  R. Kirste, S. Mita, M.P. Hoffmann, L. Hussey, W. Guo, I. Bryan, Z. Bryan, J. Tweedie, M. Gerhold, A. Hoffmann, R. Collazo, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1002/pssc.201300287)
• A conduction model for contacts to Si-doped AlGaN grown on sapphire and single-crystalline AlN, J. Appl. Phys. 117 (2015), 245702
  B.B. Haidet, I. Bryan, P. Reddy, Z. Bryan, R. Collazo, Z Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.4923062)
• Charge neutrality levels, barrier heights, and band offsets at polar AlGaN. Appl. Phys. Lett. 107 (2015), 091603
  P. Reddy, I. Isaac, Z. Bryan, J.Tweedie, S. Washiyama, R. Kirste, S. Mita, R. Collazo, Ramon Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.4930026)
• Fabrication of vertical Schottky barrier diodes on n-type freestanding AlN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy, Applied Physics Express. 8 (2015), 061003
  T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, S. Takashima, R. Yamamoto, R. Togashi, Y. Kumagai, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.7567/apex.8.061003)
• Correlation between mobility collapse and carbon impurities in Si-doped GaN grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition, J. Appl. Phys. 120 (2016), 105701
  F. Kaess, S. Mita, J. Xie, P. Reddy, A. Klump, L. H. Hernandez-Balderrama, S. Washiyama, A. Franke, R. Kirste, A. Hoffmann, R. Collazo, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.4962017)
• Fabrication and structural properties of AlN submicron periodic lateral polar structures and waveguides for UV-C applications, Appl. Phys. Lett. 108 (2016), 261106
  D. Alden, W. Guo, R. Kirste, F. Kaess, I. Bryan, T. Troha, A. Bagal, P. Reddy, L. H. Hernandez-Balderrama, A. Franke, S. Mita, C.-H. Chang, A. Hoffmann, M. Zgonik, R. Collazo, Z. Sitar 

  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.4955033)
• High temperature and low pressure chemical vapor deposition of silicom nitride on AlGaN : Band offsets and passivation studies, J. Appl. Phys. 119 (2016), 145702
  P. Reddy, S. Washiyama, F. Kaess, B. M. Hayden L. H. Hernandez- Balderrama, B.B.Haidet, D. Alden, A. Franke B. Sarkar, E. Kohn, R. Collazo, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.4945775)
• On the origin of the 4.7 eV absorption and 2.8 eV emission bands in bulk AlN substrates, CS Trans. 72 (2016 ), 31
  D. Alden, Z. Bryan, B. Gaddy, I. Bryan, G. Callsen, A. Koukitu, Y. Kumagai, A. Hoffmann, D. Irving, Z. Sitar, R. Collazo
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1149/07205.0031ecst)
• Polarity control in group-III nitrides beyond pragmatism, Phys. Rev. Appl. 5 (2016), 054004
  S. Mohn, N. Stolyarchuk, T. Markurt, R. Kirste, M. P. Hoffmann, R. Collazo, A. Courville, R. Di Felice, Z. Sitar, P. Vennéguès, M. Albrecht
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1103/physrevapplied.5.054004)
• Surface kinetics in AlN growth: A universal model for the control of surface morphology in III- nitrides, Journal of Crystal Growth 438 (2016), 81
  I. Brian, Z. Bryan, S. Mita, A. Rice, J. Tweedie, R. Collazo, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.12.022)
• UV second harmonic generation in AlN waveguides with modal phase matching, Opt. Mater. Express. 6 (2016), 2014
  T. Troha, M. Rigler, D. Alden, I. Bryan, W. Guo and R. Kirste and S. Mita and M. D. Gerhold and R. Collazo, Z. Sitar, M. Zgonik
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1364/ome.6.002014)
• Impact of sapphire nitridation on formation of Al-polar inversion domains in N-polar AlN epitaxial layers, J. Appl. Phys. 122, 155303 (2017)
  N. Stolyarchuk, T. Markurt, A. Courville, K. March, O. Tottereau, P. Vennéguès, and M. Albrecht
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.5008480)
• Intentional polarity conversion of AlN epitaxial layers by oxygen, Scientific Reports 8, 14111 (2018)
  N. Stolyarchuk, T. Markurt, A. Courville, K. March, J. Zúñiga-Pérez, P. Vennéguès and M. Albrecht
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1038/s41598-018-32489-w)
• Point-defect nature of the ultraviolet absorption band in AlN, Phys. Rev. Appl. 9 (2018), 054036
  D. Alden, J.S. Harris, Z. Bryan, J.N. Baker, P. Reddy, S. Mita, G. Callsen, A. Hoffmann, D.L. Irving, R. Collazo, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1103/physrevapplied.9.054036)
• Quasi-phase-matched second harmonic generation of UV light using AlN waveguides, Appl. Phys. Lett. 114 (2019), 103504
  D. Alden, T. Troha, R. Kirste, S. Mita, Q. Guo, A. Hoffmann, M. ZgoniK, R. Collazo, Z. Sitar
  (Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.5087058)